根據材料出現、商(shāng)業化開始的時間，可(kě)以将半導體(tǐ)材料分(fēn)為(wèi)三代。 下面一起了解下第三代半導體(tǐ)适配材料的特性和用(yòng)途吧。　

　　一代半導體(tǐ)材料：

　　代表：鍺(Ge )和矽(Si )。

　　商(shāng)業化時間： 1940、50年代

　　鍺是商(shāng)業化應用(yòng)的半導體(tǐ)材料，甚至人類一個集成電(diàn)路也是基爾比在鍺芯片上制作(zuò)的。 但此後，矽材料以更高的豐度、易純化性、更高的耐熱性、更寬的工(gōng)作(zuò)溫度在大部分(fēn)領域取代鍺獲得了成功，并脫穎而出。

　　與後來出現的二代和第三代半導體(tǐ)适配材料相比，矽的制造成本更低，電(diàn)子器件集成度更高，仍然是大規模集成電(diàn)路的選擇，在邏輯和存儲領域的霸權依然不可(kě)動搖。

　　二代半導體(tǐ)材料：

　　代表：砷化镓(GaAs )、磷化铟(InP )。

　　商(shāng)業化時間： 20世紀90年代或之前

　　砷化镓在二代半導體(tǐ)中(zhōng)廣泛使用(yòng)。 由于與矽相比載流子遷移率高、寄生電(diàn)容小(xiǎo)，砷化镓器件比矽器件快2~3倍，同時能(néng)夠響應高頻微波信号，因此常用(yòng)于高速計算機、高頻控制電(diàn)路、高頻通信器件。 另外，為(wèi)了天然的輻射增強性，砷化镓在宇宙飛行領域也有(yǒu)很(hěn)多(duō)應用(yòng)。

　　但是，在很(hěn)多(duō)領域不需要那麽高的信号傳輸速度，加工(gōng)成本也高，所以被使用(yòng)得比矽廣泛得多(duō)。

　　第三代半導體(tǐ)材料

　　代表：碳化矽(SiC )、氮化镓(GaN )。

　　商(shāng)業化時間： 21世紀初

　　由于第三代半導體(tǐ)适配材料通常比矽速度更快，同時能(néng)夠承受更高的電(diàn)壓，因此目前多(duō)用(yòng)于通信領域(特别是5G通信領域)和電(diàn)力轉換領域(例如新(xīn)能(néng)源車(chē)的電(diàn)力驅動模塊)。

　　各種特性意味着碳化矽特别适合于制造耐受高溫、高壓、大電(diàn)流的高頻、大功率的器件。

　　第三代半導體(tǐ)适配目前已知的碳化矽有(yǒu)約200種晶體(tǐ)結構形态，包括立方緊密排列的閃鋅礦晶體(tǐ)結構(2H、4H、6H、15R )和六邊緊密排列的纖鋅礦晶體(tǐ)結構(3C-SiC )等，其中(zhōng)晶體(tǐ)結構) 3C-SiC 例如在氮化镓外延層生長(cháng)、碳化矽系氮化镓微波RF的制造中(zhōng)使用(yòng)的晶型4H可(kě)以用(yòng)于大功率器件的制造; 6H穩定，可(kě)用(yòng)于光電(diàn)元件的制作(zuò)。

　　以上介紹的就是第三代半導體(tǐ)适配材料的特性和用(yòng)途，如需了解更多(duō)，可(kě)随時聯系我們!